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j9入口:达林顿管的四种接法与常用类型2021年收拾pdf
来源：j9入口
发布时间：2026-10-31 23:48:21
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达林顿管的四种接法 • 达林顿电路有四种接法：NPN+NPN，PNP+PNP，NPN+PNP,PNP+NPN. 前二种是同极性接法，后二种是异极性接法。NPN+NPN 的同极性接法：B1 为B，C1C2 为C，E1B2 接在一同，那么E2 为E。这儿也说一下异极性接法。以NPN+PNP 为例。设前一 三极管T1 的三极为C1B1E1，后一三极管T2 的三极为C2B2E2。达林顿管的接法应为：C1B2 应接一同，E1C2 应接一同。等效三极管CBE 的管脚，C=E2,B=B1，E=E1(即C2）。等效三极 管极性，和前一三极管相同。即为NPN 型。 PNP+NPN 的接法和此类同。 如下图所示，两级放大器元件同为NPN 型晶体管，将前级晶体管的射极电流直接引进下 一级的基极，当作下级的输入。「同极型达林顿」衔接,是运用相同类型的晶体管.而「异极 型达林顿」衔接，是运用NPN 和PNP 晶体管彼此串接达到达林顿的特性。 同极型达林顿管 异极型达林顿管 1 达林顿管的典型运用 • 1、用于大功率开关电路、电机调速、逆变电路。 2、驱动小型继电器 运用CMOS 电路通过达林顿管驱动高灵敏度继电器的电路，如右上图所示。虚线框内是 小功率NPN 达林顿管FN020。 3、驱动LED 智能显现屏 LED 智能显现屏是由微型计算机操控，以LED 矩阵板作显现的体系，可用来显现各种文 字及图画。该体系中的行驱动器和列驱动器均可选用高 β、高速低压降的达林顿管。图2 是用BD683(或BD677)型中功率NPN 达林顿管作为列驱动器，而用BD682(或BD678)型PNP 达林顿管作行驱动器，操控8×8LED矩阵板上相应的行(或列)的像素发光。 应留意的是，达林顿管因为内部由多只管子及电阻组成，用万用表测验时，be 结的正 反向阻值和一般三极管不同。关于高速达林顿管，有些管子的前级be 结还反并联一只输入 二极管，这时测出be 结正反向电阻阻值很挨近；简单误判别为坏管，这个请留意 4、判别达林顿管等效为何种类型的三极管： 首要看看榜首只管是什么类型的，榜首只管是什么类型的，那么这只达林顿管便是什么 类型的，和第二只无关！更重要的是 要看看这两只管构成的达林顿管能反常作业， 假如作业电流抵触，则直接否定这只管。 达林顿管的分类检测 • 1．一般达林顿管的检测的新方法 一般达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极衔接在一同复合而成，其基极B 和发射 极E 之间包含多个发射结。检测时可运用万用表的R×1k或R×10k档来丈量。 丈量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时，集电极C 和基极B 之间的正向电 阻值（测NPN 管时，黑表笔接基极B；测PNP 管时，黑表笔接集电极C）值和一般硅晶体管 集电结的正向电阻值附近，为3~10kΩ之间，反向电阻值为无穷大。而发射极E 和基极B 之间的的正向电阻值（测NPN 管时，黑表笔接基极 B；测PNP 管时，黑表笔接发射极E）是 集电极C 和基极B 之间的正、反向电阻值的2~3 倍，反向电阻值为无穷大。集电极C 和发射 极E 之间的正、反向电阻值均应挨近无穷大。若测得达林顿管的C、E 极间的正、反向电阻 2 值或BE 极、BC 极之间的正、反向电阻值均挨近0，则阐明该管已击穿损坏。若测得达林顿 管的 BE 极或BC 极之间的、反向电阻值为无穷大，则阐明该管已开路损坏。 2. 大功率达林顿管的检测 大功率达林顿管在一般达林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的维护 电路，在丈量时应留意这些元器件对丈量数据的影响。 用万用表R×1k或R×10k档，丈量达林顿管集电结（集电极C 和基极B 之间）的正、 反向电阻值。正常时，正向电阻值（NPN 管的基极接黑表笔时）应较小，为1~10kΩ，反向 电阻值应挨近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则阐明该管已 击穿短路或开路损坏。 用万用表R×100档，丈量达林顿管发射极E 和基极B 之间的正、反向电阻值，正常值 均为几百欧姆至几千欧姆（详细数据依据B、E 极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。 例如，BU932R、MJ10025 等类型大功率达林顿管B、E 极之间的正、反向电阻值均为600Ω 左右），若测得阻值为0 或无穷大，则阐明被测管已损坏。 用万用表R×1k或R×10k档，丈量达林顿管发射极E 和集电极C 之间的正、反向电阻 值。正常时，正向电阻值（测NPN 管时，黑表笔接发射极E，红表笔接集电极C；测PNP 管 时，黑表笔接集电极C，红表笔接发射极E）应为5~15kΩ （BU932R 为7kΩ），反向电阻值 应为无穷大，否则是该管的C、E 极（或二极管）击穿或开路损坏。 达林顿管的常用参数 • 类型 Pcm[W] Icm[A] Vceo [V] fT[MHz] 封装 用处 阐明 2N6035 40 4 60 - TO-225 - PNP - 2N6036 40 4 80 - TO-225 - PNP - 2N6038 40 4 60 - TO-225 - NPN - 2N6039 40 4 80 - TO-225 - NPN - 2N6040 75 8 60 - TO-220 - PNP 3 2N6042 75 8 100 - TO-220 - PNP 2N6043 75 8 60 - TO-220 - PNP 2N6045 - - - TO-220 - - 2SB794 10 1.5 60 - TO-126 - PNP NEC 2SB795 10 1.5 80 - TO-126 - PNP NEC 2SC3075 - - - - TO-126 - - - 2SC3294 - - - TO-202 - - - BD643 62.5 8 45 - TO-220 - NPN - BD644 62.5 8 45 - TO-220 - PNP - BD645 62.5 8 60 - TO-220 - NPN - BD646 62.5 8 60 - TO-220 - PNP - BD647 62.5 8 80 - TO-220 - NPN - BD648 62.5 8 80 - TO-220 - PNP - BD649 62.5 8 100 - TO-220 - NPN - BD650 62.5 8 100 - TO-220 - PNP - 4 BD651 62.5 8 120 - TO-220 - NPN - BD652 62.5 8 120 - TO-220 - PNP - BD677 40 4 60 - SOT-32 - NPN - BD678 40 4 60 - SOT-32 - PNP - BD679 40 4 80 - SOT-32 - NPN - BD680 40 4 80 - SOT-32 - PNP - BD681 40 4 100 - SOT-32 - NPN - BD682 40 4 100 - SOT-32 - PNP - BDW42 85 15 100 - TO-220 - NPN BDW46 85 15
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